国产+人人+视频,亚洲中少妇久久中文字幕,欧美一性一交免费在线观看,性一交—乱一性一在线播放

system integration

系統(tǒng)集成

半導(dǎo)體晶圓直流測(cè)試系統(tǒng)

高功率直流射頻晶圓測(cè)試系統(tǒng)

高功率器件晶圓測(cè)試及相關(guān)設(shè)備

高功率器件晶圓測(cè)試概述

高功率器件晶圓測(cè)試(Chip Probing,CP)是半導(dǎo)體生產(chǎn)流程中介于晶圓制造與封裝作業(yè)之間的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。當(dāng)晶圓制造完成后,表面密布著數(shù)以千計(jì)的未封裝芯片(DIE),晶圓測(cè)試便是在整片未經(jīng)切割封裝的晶圓上,通過(guò)探針卡將這些外露的芯片引腳與測(cè)試系統(tǒng)相連,進(jìn)而實(shí)施全面檢測(cè)的過(guò)程。其核心目標(biāo)在于封裝流程前識(shí)別并剔除不良品(即進(jìn)行 Wafer 篩選),以提升最終芯片產(chǎn)品的合格率,并降低后續(xù)封裝與測(cè)試的成本負(fù)擔(dān)。此外,部分引腳會(huì)在封裝過(guò)程中被封裝于內(nèi)部,導(dǎo)致這些引腳所對(duì)應(yīng)的功能無(wú)法在封裝后進(jìn)行檢測(cè),只能在晶圓階段完成測(cè)試。部分企業(yè)還會(huì)依據(jù)晶圓測(cè)試的結(jié)果,按照性能差異將芯片劃分為不同等級(jí),以便針對(duì)不同市場(chǎng)投放相應(yīng)品質(zhì)的產(chǎn)品

高功率器件晶圓測(cè)試面臨的難點(diǎn)

高電壓?jiǎn)栴}

高功率器件在高電壓下工作,測(cè)試時(shí)容易出現(xiàn)高壓打火現(xiàn)象(電擊穿空氣),同時(shí)高壓下保證低漏電測(cè)試也是一大挑戰(zhàn)

大電流問(wèn)題

功率器件需要承受大電流,測(cè)試時(shí)需要確保小的接觸電阻以保證精度,而且大電流下電壓降明顯,會(huì)影響測(cè)試結(jié)果。

薄晶圓結(jié)構(gòu)問(wèn)題

薄晶圓易碎,測(cè)試時(shí)容易受損,且在測(cè)試過(guò)程中可能因吸附力過(guò)大而受損。

寬溫度范圍問(wèn)題

功率器件需要在寬溫度范圍內(nèi)工作,測(cè)試時(shí)需要模擬這些溫度條件,同時(shí)要保證不同溫度下探針臺(tái)的性能。

測(cè)試效率和安全性問(wèn)題

自動(dòng)化測(cè)試可以提高測(cè)試效率,但需要考慮設(shè)備和人員的安全,確保在高壓、大電流等條件下的測(cè)試安全。

高功率器件晶圓測(cè)試的相關(guān)設(shè)備

探針臺(tái)

主要對(duì)晶圓進(jìn)行電學(xué)檢測(cè),分為載物臺(tái)、探卡、絕緣氣體供應(yīng)設(shè)備等部分。載物臺(tái)用于晶圓的放置,可以兼容 4 - 8 寸的晶圓,上面有真空氣孔,將晶圓吸附住,防止在絕緣氣體和探針測(cè)試過(guò)程中晶圓發(fā)生移位。絕緣氣體主要是壓縮空氣等,用于防止在測(cè)試過(guò)程中發(fā)生打火現(xiàn)象(電擊穿空氣)。目前除用氣體做絕緣外,最常用的方法是將晶圓浸泡在氟油中,這種方法的測(cè)試效果要強(qiáng)于壓縮空氣的絕緣,并且氟油在測(cè)試完成后很容易揮發(fā),不會(huì)在晶圓表面造成污染殘留。GP200HP擁有穩(wěn)定且可靠的測(cè)試平臺(tái),保證測(cè)試中的扎針質(zhì)量。優(yōu)異的光學(xué)系統(tǒng)結(jié)合分辨率<2μm的針座系統(tǒng),確保扎針的穩(wěn)定性。在直流應(yīng)用中,GP200HP高品質(zhì)的電纜和三軸信號(hào)通路,可使DUT特性分析達(dá)到pA級(jí)別;同時(shí),配置的紅外激光幕布功能,可以有效的幫助客戶起到人員防護(hù)等功能,保證測(cè)試情況下的安全性,載物臺(tái)的單手快速移動(dòng)及升降、一體化真空開關(guān)等優(yōu)化設(shè)計(jì)使操作流程更加簡(jiǎn)潔,不管是初學(xué)者還是經(jīng)驗(yàn)者,使用起來(lái)都非常方便、易懂......


曲線追蹤儀(檢測(cè)儀)

如 IWATSU CS - 10105C,主要用于產(chǎn)生并傳輸高電壓與大電流至探針,采用連線方式實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)集成了兩組組件:集電極電源與步進(jìn)發(fā)生器,能夠依據(jù)電路布局靈活地將電壓施加到集電極、發(fā)射極及基極,以適應(yīng)多樣化的測(cè)試需求。此外,該設(shè)備預(yù)裝了七種專用測(cè)試電路模塊,旨在覆蓋多種測(cè)試場(chǎng)景。

控制用計(jì)算機(jī)

與探針臺(tái)和檢測(cè)儀相連,組成一個(gè)完整的測(cè)試系統(tǒng),用于控制測(cè)試過(guò)程和處理測(cè)試數(shù)據(jù)1。

以泰克針對(duì) IGBT(一種高功率器件)的測(cè)試方案為例,還會(huì)用到以下設(shè)備:

靜態(tài)測(cè)試設(shè)備

如 2600 - PCT,有多種配置可選,包括 200V/10A 低壓基本配置、200V/50A 高流配置、3000V/10A 高壓配置、3000V/50A 高壓高流等配置。

測(cè)試載臺(tái)

高功率探針臺(tái)/測(cè)試夾具,配套電源測(cè)試板,高性能測(cè)試夾具支持多種封裝類型,可適配絕大部分高功率探針臺(tái)